2024届普通高校招生全国统一考试仿真模拟·全国卷 BBY-F(五)5理科综合答案正在持续更新，目前2025届海淀八模答案网为大家整理了相关试题及答案，供大家查缺补漏，高效提升成绩。

11:39米℃☒（®：81☐<12/14完成34.[物理—选修3一4们15分)(1(5分)“5m处的振源做振幅为8cm的简诺运动，形成一列沿：轴正方向传播的简谐横波1三时刻的波形如图所示：轴上P,Q两质点的坐标分别为1m和9m1,3、时质点Q第一次处于波谷.下列说法正确的是·(填正确答案标号。选对1个得？分，选对2个得4分选对3个得5分，每选错1个扣3分，最低得分为0分)A波源的起振方向向上B.这列波的周期为0.2sAC.这列波的传播速度为1Gms[D.1=0.4s时，质点P第一次到达波峰E.当质点Q第…次到达波峰时.质点P通过的路程为？m(2(10分)当太阳光照射到空气中的水滴时，光线被折射及反射后，便形成了彩虹，如图所示。一束单色光以入射角。=”射入空气中的球形水滴，折射出两条光找12（只考虑光在水滴内的第一次反射已知入射光线与出射光线？之间的偏向角、1”求：(1)水滴对单色光的折射率n:(前)出射光线1.2的夹角9.八好●气出射线135.[化学—物质结构与性质](15分)p硅(S)、晒(S),锦(Ga.)的单质装装托化合物都是鳜空航夫测控.光纤通信等领城常用的半导体材料。厨答下列向题：（)制造手机芯片需要高纯度硅.晶体酵属于一一晶体，可容于氧氟酸生成氧气。写出晶体硅与氢额酸反位的化学方程式(2)基态硒原于的价电子排布因为:爵：硅均能氢元素形成气态氧化物，硅的氢化物的分子中共用电子对篇阿氧草子.对家气爵反应时单质晒是氧化剂，则电负性大小为S《填“或”、“.上的文体烤型为(3)嫁和砷都是第四周期的元素.侧第一电离能：对(填“大于“或“小于)As,GaN,GaAs的晶体类型与晶体硅相同，试解释。熔点GaN>GaAs的原因：(4)氮化嫁是一种重要的半导体材料，其立方晶胞结构如图所示。每个Ga原子周围距离最近的Ga原子数为一，已知晶跑边长为aPm,若该晶体的密度为Pg·cm,则阿伏加德罗常数的值Na=水还。—只列出计第武单可.了高三理科综合第12页共1“页]]*长按图片查看原图出回裁剪旋转橡皮擦框选错题删除